关于高数值孔径EUV和曲线光掩模等灯具的讨论

时间: 2024-08-03 06:46:51 |   作者: 开全站登录app

　　80%的受访者认为，到2028年，将有多家公司在大批量制造（HVM）中广泛采用高数值孔径EUV光刻技术，与去年调查中报告的比例相同。此外，与去年的调查相比，对前沿掩模商可处理曲线掩模需求的信心增加了一倍，而87%的人预测前沿掩模至少能处理有限数量的曲线掩模。

　　今年的杰出人物调查中增加了新问题，评估人们对EUV和非EUV前沿掩模和图案的看法。70%的人表示曲线逆光刻技术（ILT）对于非EUV前沿节点很有用，而75%的人同意2纳米、0.33 NA EUV需要该技术。预计通过光化测试检查EUV掩模的百分比将在三年内翻一番，从2023年的加权平均30%增加到2026年的63%。此外，95%的人同意需要多光束掩模写入机来写入EUV掩模 。

　　近日，专家小组在与加州蒙特雷SPIE光掩模技术 + EUV光刻会议联合举办的eBeam Initiative活动中讨论灯具调查的完整结果。

　　• 83%的受访者预测，2023年掩模收入将增加或保持不变，尽管SEMI预测掩模市场将收缩3%

　　• 大多数受访者预测，未来三年用于多光束掩模写入机（77%）和掩模检测（63%）的仅193i设备采购量将会增加

　　• 83%的受访者认为，“非EUV前沿”（193i光刻达到经济可行性实际极限的节点）在>

　　5 nm 至14 nm范围内

　　eBeam Initiative的管理公司赞助商D2S首席执行官Aki Fujimura表示：“年度eBeam Initiative杰出人物调查的参与者是一群独特的半导体内部人士，他们对塑造该行业的市场和技术趋势有着敏锐的洞察力。在过去几年中，调查指出曲线ILT的使用增加是EUV和193i的主要趋势。今年的调查的最终结果表明，人们对曲线掩模（包括非EUV 前沿节点）仍然充满信心，并且存在在更关键层使用ILT的趋势。得益于多光束掩模写入和GPU加速，现在能轻松实现曲线掩模。曲线掩模展示了诸如工艺窗口增加高达100%等优势，表明它们能成为将当前光刻技术扩展到更先进节点的解决方案的一部分。”

　　ASML在imec的ITF World 2024大会上宣布，其首台High-NA（

　　超紫外光刻领域，已有数台设备投入其芯片制造部门使用。据透露，英特尔正计划在即将推出的18A（1.8纳米）工艺节点中试行

　　光刻机进行生产。相较之下，英特尔和三星则计划在此阶段使用最新的High-N

　　设备产能有限，每年仅能产出5至6台，因此英特尔将独享初始库存，而竞争对象三星和SK海力士预计需等到明年下半年才可以获得此设备。

　　）光刻系统。 新设备能够大幅度的提升下一代处理器的分辨率和功能扩展，使英特尔代工厂能够继续超越

　　半导体设备制造商阿斯麦（ASML）于去年底在社会化媒体上发布照片，揭示已向英特尔提供第一套

　　系统的核心部件。如今英特尔宣布已完成组装，这无疑展示了其在行业中的领先地位。

　　在半导体领域，技术创新是推动整个行业向前发展的重要动力。近日，荷兰阿斯麦(ASML)公司宣布，成功打造了首台采用0.55

　　光刻机实现突破性成果 /

　　设备Twinscan NXE：3800E /

　　(High-NA)光刻机而成为新闻焦点。到目前为止，英特尔是全球唯一一家订购此类光刻机的晶圆厂，据报道它们的售价约为3.8亿美元

　　光刻机的厂商 /

　　是指光纤传输中心芯的直径与光纤外层材料的折射指数之间的参数差异。它是光纤传输的一个重要指标，对于确定光纤传输性能、

　　罩MASK）—半导体芯片的母板设计 /

　　技术路线图 /

　　的可能拼接解决方案 /

　　的时间表和技术方面的要求上。ASML战略营销高级总监Michael Lerc

　　的技术要求是什么 /

　　求FPGA 驱动控制ltc2271 或者 ltc2180 或者 ltc2190或者 ltc2202 的代码